Effect with high density nano dot type storage layer structure on 20 nm planar NAND flash memory characteristics
Effect with high density nano dot type storage layer structure on 20 nm planar NAND flash memory characteristics
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高密度纳米点型存储层结构对20 nm平面NAND闪存特性的影响
DOI：
10.7567/jjap.53.04ed17
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发表时间：
2014
影响因子：
1.5
通讯作者：
Sung-kye Park. Tetsuo Endoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takeshi Sasaki;Masakazu Muraguchi;Moon-Sik Seo;Sung-kye Park. Tetsuo Endoh
