New Findings on Coulomb Scattering Mobility in Strained-Si nFETs and its Physical Unders
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应变 Si nFET 库仑散射迁移率及其物理特性的新发现
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
O.Weber and S.Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
O.Weber;T.Irisawa;T.Numata;M.Harada;N.Taoka;Y.Yamashita;T.Yamamoto;N.Sugiyama;M.Takenaka and S.Takagi;O.Weber and S.Takagi
