Laser measurement of H-ions in a field-effect-transistor based radio frequency ion source
Laser measurement of H-ions in a field-effect-transistor based radio frequency ion source
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基于场效应晶体管的射频离子源中 H 离子的激光测量
DOI：
10.1063/1.3680549
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发表时间：
2012
影响因子：
1.6
通讯作者：
Y. Takeiri
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Tanaka;T. Matsuno;T. Funaoi;A. Ando;Y. Tauchi;H. Nakano;K. Tsumori;Y. Takeiri
