高能电子成像暗场成像技术特性研究及改进方案
高能电子成像暗场成像技术特性研究及改进方案
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DOI：
10.11884/hplpb201931.190003
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
袁平
中科院分区：
文献类型：
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作者：
肖家浩;曹树春;张子民;李中平;申晓康;赵全堂;程锐;刘铭;赵永涛;袁平
基于EGS5与PARMELA模拟软件组成的高能电子成像系统,对暗场成像的模拟研究发现,通过调节光阑位置实现的暗场成像结果存在失真现象。针对该失真现象提出的改进方案,消除了暗场成像结果的失真。通过对40 MeV电子透射7~224 μm的铝样品开展的成像模拟结果表明:40 MeV高能电子暗场成像技术在铝样品厚度小于25 μm情况下具有明显的面密度分辨优势,且空间分辨率达到μm量级,非常适用于高能量密度物质诊断。