Real-time Observation of Hlgh Temperature Interface between SiC Substrate and Solution during dissolution of SiC
Real-time Observation of Hlgh Temperature Interface between SiC Substrate and Solution during dissolution of SiC
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SiC溶解过程中SiC衬底与溶液之间高温界面的实时观察
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
川西咲子
中科院分区：
文献类型：
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作者：
吉川健;川西咲子;川西咲子;川西咲子;川西咲子;川西咲子;川西咲子
