Low Specific Ohmic Contacts to n-type Germanium Using a Low Temperature NiGe Process
Low Specific Ohmic Contacts to n-type Germanium Using a Low Temperature NiGe Process
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使用低温 NiGe 工艺与 n 型锗进行低比欧姆接触
DOI：
10.1149/05009.1081ecst
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Gallacher K
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Gallacher K
提出了一种新的n-Ge欧姆接触方案，采用Ni、Ge和Ni的三阶段沉积。在掺杂浓度为3 × 1019 cm-3的n-Ge上，在340 ° C退火30 s后沉积的Ni和Ge的最低接触电阻率为（1.68±0.4）× 10-7 Ω-cm 2，转移长度为（0.95 ± 0.12）。
A new n-Ge Ohmic contact scheme is demonstrated using a three stage deposition of Ni, Ge and Ni. The lowest specific contact resistivity demonstrated was (1.68±0.4) x 10–7 Ω-cm 2, with a low transfer length of (0.95 0.12) for deposited Ni and Ge annealed at 340 o C for 30 s on n-Ge with a doping density of 3 x 10 19 cm–3.