Promotion of perpendicular growth of silicon nanowires by MACE-formed surface nanoholes
Promotion of perpendicular growth of silicon nanowires by MACE-formed surface nanoholes
复制标题
MACE形成的表面纳米孔促进硅纳米线的垂直生长
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yoshitada Isono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Akio Uesugi;Syusuke Nishiyori;Koji Sugano;Yoshitada Isono
