Terahertz electrical writing speed in an antiferromagnetic memory.
Terahertz electrical writing speed in an antiferromagnetic memory.
复制标题
DOI：
10.1126/sciadv.aar3566
复制
发表时间：
2018-03
期刊：
影响因子：
13.6
通讯作者：
Jungwirth T
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Olejník K;Seifert T;Kašpar Z;Novák V;Wadley P;Campion RP;Baumgartner M;Gambardella P;Němec P;Wunderlich J;Sinova J;Kužel P;Müller M;Kampfrath T;Jungwirth T
我们演示了反铁磁存储器中以千兆赫速度写入能量的太赫兹电写入速度。最先进的铁磁存储器的写入速度在物理上受到固有千兆赫阈值的限制。最近，基于反铁磁体的存储器件的实现，其中自旋方向从一个原子晶格位置周期性地交替到下一个原子晶格位置，将研究推向了另一个方向。我们通过实验证明，在室温下，使用反铁磁体可以将存储器件中的可逆电写入速度扩展到太赫兹。在从赫兹到太赫兹的12个数量级的写入速度范围内，电流诱导的自旋力矩机制负责我们的存储器件中的开关。我们的工作为存储器逻辑技术的发展开辟了道路，使其达到难以捉摸的太赫兹波段。
We demonstrate terahertz electrical writing speed in an antiferromagnetic memory at an energy of the gigahertz speed writing. The speed of writing of state-of-the-art ferromagnetic memories is physically limited by an intrinsic gigahertz threshold. Recently, realization of memory devices based on antiferromagnets, in which spin directions periodically alternate from one atomic lattice site to the next has moved research in an alternative direction. We experimentally demonstrate at room temperature that the speed of reversible electrical writing in a memory device can be scaled up to terahertz using an antiferromagnet. A current-induced spin-torque mechanism is responsible for the switching in our memory devices throughout the 12-order-of-magnitude range of writing speeds from hertz to terahertz. Our work opens the path toward the development of memory-logic technology reaching the elusive terahertz band.
登录
查看更多内容
影响因子：
16.6
作者：
Olejník K;Schuler V;Marti X;Novák V;Kašpar Z;Wadley P;Campion RP;Edmonds KW;Gallagher BL;Garces J;Baumgartner M;Gambardella P;Jungwirth T
通讯作者：
Jungwirth T
影响因子：
4
作者：
Karpowicz, Nicholas;Dai, Jianming;Johnson, Keith
通讯作者：
Johnson, Keith
影响因子：
41.2
作者：
Fukami, Shunsuke;Zhang, Chaoliang;Ohno, Hideo
通讯作者：
Ohno, Hideo
影响因子：
56.9
作者：
Liu, Luqiao;Pai, Chi-Feng;Buhrman, R. A.
通讯作者：
Buhrman, R. A.
影响因子：
4
作者：
Bedau, D.;Liu, H.;Mangin, S.
通讯作者：
Mangin, S.