Top-Gated MoS₂ Negative-Capacitance Transistors Fabricated by an Integral-Transfer of Pulsed Laser Deposited HfZrO₂ on Mica
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DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Jing-Ping Xu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xiao Zou;Jiyue Zou;Lu Liu;Hongjiu Wang;Jing-Ping Xu
