S. Uno: "0.86e V Platinum Schottky Barrier on Indium Phosphide by In Situ Electrochemical Process and Its Application to MESFETs" Japanese Journal of Applied Physics. 35. 1258-1263 (1996)
S. Uno: "0.86e V Platinum Schottky Barrier on Indium Phosphide by In Situ Electrochemical Process and Its Application to MESFETs" Japanese Journal of Applied Physics. 35. 1258-1263 (1996)
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S. Uno：“通过原位电化学过程实现磷化铟上的 0.86e V 铂肖特基势垒及其在 MESFET 中的应用”《日本应用物理学杂志》。
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