Characterization of microvoid structure in a-Si:H/c-Si heterojunctions via positron annihilation and spectroscopic ellipsometry
Characterization of microvoid structure in a-Si:H/c-Si heterojunctions via positron annihilation and spectroscopic ellipsometry
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通过正电子湮没和光谱椭圆光度法表征 a-Si:H/c-Si 异质结中的微孔结构
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Matsuki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
松木 伸行;オローク ブライアン;大島 永康;上殿 明良;山末 耕平，茅根 慎通，長 康雄;N. Matsuki
