CMOS 四路可加权高频模拟开关的设计与研究

CMOS 四路可加权高频模拟开关的设计与研究
复制标题

DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
固体电子学研究与进展
影响因子:
--
通讯作者:
朱大中
朱大中
中科院分区:
其他
文献类型:
--
作者:
饶源;朱大中

文献摘要

相似文献