In-situ maskless selective area epitaxy of GaAs using a low-energy Ga focused ion beam
In-situ maskless selective area epitaxy of GaAs using a low-energy Ga focused ion beam
复制标题
使用低能 Ga 聚焦离子束进行 GaAs 原位无掩模选择性区域外延
DOI：
10.1016/0022-0248(94)90518-5
复制
发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Yonezu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Pak;Isao Saitoh;N. Ohshima;H. Yonezu
