Control of surface morphology in Ge/Si heterostructure by using sub-monolayer carbon deposition on top and in-situ post annealing
Control of surface morphology in Ge/Si heterostructure by using sub-monolayer carbon deposition on top and in-situ post annealing
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利用顶部亚单层碳沉积和原位后退火控制Ge/Si异质结构的表面形貌
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Washio
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Itoh;S. Hatakeyama;T. Kawashima;K. Washio
