SiO2/GaN MOSデバイスにおける水素ガスアニール起因の異常な固定電荷生成の理解
SiO2/GaN MOSデバイスにおける水素ガスアニール起因の異常な固定電荷生成の理解
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了解 SiO2/GaN MOS 器件中氢气退火引起的异常固定电荷产生
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
渡部平司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
溝端秀聡;和田悠平;加賀三志郎;野﨑幹人;細井卓治;志村考功;渡部平司
