Crystal growth of GaN by ammonothermal method
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2003.08.031
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发表时间：
2004-01
影响因子：
1.8
通讯作者：
A. Yoshikawa;E. Ohshima;T. Fukuda;H. Tsuji;K. Oshima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Yoshikawa;E. Ohshima;T. Fukuda;H. Tsuji;K. Oshima
