Isochronal annealing study of deep levels in hydrogen implanted p-type 4H-SiC
Isochronal annealing study of deep levels in hydrogen implanted p-type 4H-SiC
复制标题
氢注入p型4H-SiC深能级等时退火研究
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
G. Alfieri and T. Kimoto
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhao;H. B.;Guan;G;Matsuda;M.;Paul-Prasanth Bindhu & Nagahama;Y.;G. Alfieri and T. Kimoto
