Spin qubits based on silicon tunnel field-effect transistors
Spin qubits based on silicon tunnel field-effect transistors
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基于硅隧道场效应晶体管的自旋量子位
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Satoshi Moriyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tsubasa Nakashima;Kazuki Watatani;Kyohei Terao;Fusao Shimokawa;Hidekuni Takao;田川義之;羽根一博（分担執筆）;H. Tabata;Satoshi Moriyama
