Source Access Impedance Model for AlGaN/GaN HEMTs

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AlGaN/GaN HEMT 的源接入阻抗模型

DOI：
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发表时间：
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期刊：
Electronics Letters
影响因子：
1.1
通讯作者：
Xu, Yuehang
Xu, Yuehang
中科院分区：
工程技术4区
文献类型：
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作者：
Yan, Bo;Lin, Weigan;Wu, Yunqiu;Xu, Ruimin;Guo, Yunchuan;Xu, Yuehang

文献摘要

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