Organometallic vapor phase epitaxial growth of Eu-doped GaN and its application to red light-emitting diodes operating at room temperature
Organometallic vapor phase epitaxial growth of Eu-doped GaN and its application to red light-emitting diodes operating at room temperature
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有机金属气相外延生长Eu掺杂GaN及其在室温红色发光二极管中的应用
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Terai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Fujiwara;A.Nishikawa;Y.Terai
