E.Tokumitsu,R.Nakamura,and H.Ishiwara: "Fabrications of Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors Using P(L)ZT Films" J.of the Korean Physical Society(Proc.Suppl.). 29. S640-S643 (1996)
E.Tokumitsu,R.Nakamura,and H.Ishiwara: "Fabrications of Ferroelectric-Gate Field Effect Transistors Using P(L)ZT Films" J.of the Korean Physical Society(Proc.Suppl.). 29. S640-S643 (1996)
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E.Tokumitsu、R.Nakamura 和 H.Ishiwara：“使用 P(L)ZT 薄膜制造铁电栅场效应晶体管”J.of the Korean Physical Society（Proc.Suppl.）。
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