サイドゲートによるシリコン3重量子ドットの単電子移動制御
サイドゲートによるシリコン3重量子ドットの単電子移動制御
复制标题
使用侧栅控制硅三量子点的单电子转移
DOI：
--
复制
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
小田俊理
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
平岡宗一郎;堀部浩介;小寺哲夫;小田俊理
