Schottky Barrier MOSFETs as Resonant Tunneling Devices
Schottky Barrier MOSFETs as Resonant Tunneling Devices
复制标题
作为谐振隧道器件的肖特基势垒 MOSFET
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Sano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Toriyama;N. Sano
