Lateral 1200v Sic Schottky Barrier Diode with Single Event Burnout Tolerance
Lateral 1200v Sic Schottky Barrier Diode with Single Event Burnout Tolerance
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具有单粒子烧毁容限的横向 1200v Sic 肖特基势垒二极管
DOI：
10.2139/ssrn.4733583
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发表时间：
2024
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Qi Y
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Qi Y
