Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method
Ultra-high quality SiC crystal grown by solution method
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溶液法生长超高品质SiC晶体
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Ujihara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takeoka;Y.;T.Ujihara
