Improving the performance for flip-chip AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes using surface textured Ga-face n-AlGaN
Improving the performance for flip-chip AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes using surface textured Ga-face n-AlGaN
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使用表面织构 Ga 面 n-AlGaN 提高倒装芯片 AlGaN 基深紫外发光二极管的性能
DOI：
10.1364/oe.456758
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
3.8
通讯作者：
jianchang Yan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gai Zhang;Bing Wang;Tong Jia;Chunshuang Chu;Chao Fan;Yonghui Zhang;Xiangpeng Zhang;Naixin Liu;Zi Hui Zhang;jianchang Yan
