Tunneling Spin Injection into Single Layer Graphene
Tunneling Spin Injection into Single Layer Graphene
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DOI：
10.1103/physrevlett.105.167202
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发表时间：
2010-10-12
影响因子：
8.6
通讯作者：
Kawakami, R. K.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Han, Wei;Pi, K.;Kawakami, R. K.
我们实现了隧道自旋注入从钴到单层石墨烯（SLG）使用二氧化钛籽晶氧化镁障碍。在室温下观察到130 Ω的非局部磁阻（Delta R-NL），这是在任何材料中观察到的最大值。研究从透明到隧穿接触区的Delta R-NL与SLG电导率，证明了自旋输运的漂移扩散理论预测的对比行为。此外，隧道势垒降低了接触诱导的自旋弛豫，因此对于石墨烯中自旋弛豫的未来研究是重要的。
We achieve tunneling spin injection from Co into single layer graphene (SLG) using TiO2 seeded MgO barriers. A nonlocal magnetoresistance (Delta R-NL) of 130 Omega is observed at room temperature, which is the largest value observed in any material. Investigating Delta R-NL vs SLG conductivity from the transparent to the tunneling contact regimes demonstrates the contrasting behaviors predicted by the drift-diffusion theory of spin transport. Furthermore, tunnel barriers reduce the contact-induced spin relaxation and are therefore important for future investigations of spin relaxation in graphene.