T. Nakamura, T. Nishinaga, P, Ge and C. Huo: "Distribution of Te in GaSb grown by Bridgman technique under microgravity"J. Crystal Growth. 211. 441-445 (2000)
T. Nakamura, T. Nishinaga, P, Ge and C. Huo: "Distribution of Te in GaSb grown by Bridgman technique under microgravity"J. Crystal Growth. 211. 441-445 (2000)
复制标题
T. Nakamura、T. Nishinaga、P、Ge 和 C. Huo:“微重力下布里奇曼技术生长的 GaSb 中 Te 的分布”J。
DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
中科院分区:
文献类型:
--
作者: