エピタキシャル構造に対してスケーリングを施したGaInSbチャネルHEMT

エピタキシャル構造に対してスケーリングを施したGaInSbチャネルHEMT
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GaInSb 沟道 HEMT,具有外延结构缩放功能

DOI:
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发表时间:
2022
期刊:
国立研究開発法人情報通信研究機構2021年度先端ICTデバイスラボ成果報告書
影响因子:
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通讯作者:
笠松章史
笠松章史
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
藤代博記;遠藤 聡;礒前雄人;吉武優輔;國澤宗真;羽鳥小春;渡邊一世;山下良美;町田龍人;原 紳介;笠松章史

文献摘要

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