Long-retention gain-cell DRAM using undoped SOI MOSFETs
Long-retention gain-cell DRAM using undoped SOI MOSFETs
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使用未掺杂 SOI MOSFET 的长保持增益单元 DRAM
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Takahashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Nishiguchi;Y. Ono;A. Fujiwara;H. Yamaguchi;H. Inokawa;Y. Takahashi
