Wurtzite-type ternary I-III-O2 oxide semiconductors; new materials expanding the energy band gap range covered by oxide semiconductors
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纤锌矿型三元I-III-O2氧化物半导体；
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takahisa Omata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
永瀬 隆;小林隆史;内藤裕義;Takahisa Omata
