末益 崇: "Si Molecular Beam Epitaxial Growth over an Atomie-Layer.Boron Adsorbed Si(001) Substrate and its Electrical Properties" Japanease Journal of Applied Physics. 36巻・12号. 7146-7151 (1997)
末益 崇: "Si Molecular Beam Epitaxial Growth over an Atomie-Layer.Boron Adsorbed Si(001) Substrate and its Electrical Properties" Japanease Journal of Applied Physics. 36巻・12号. 7146-7151 (1997)
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Takashi Suemasu：“原子层上的硅分子束外延生长。硼吸附的 Si(001) 基板及其电性能”日本应用物理学杂志第 36 卷，第 12 期。7146-7151 (1997)
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