狭ギャップ高密度水素プラズマによるオンサイトSiH4生成装置を用いたシリコンエピ成長
狭ギャップ高密度水素プラズマによるオンサイトSiH4生成装置を用いたシリコンエピ成長
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使用现场 SiH4 生成设备和窄间隙高密度氢等离子体进行硅外延生长
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
武居則久，篠田史也，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Gai Kubo;Tetsuya Matsuda;Yoshihiko Sato;武居則久，篠田史也，垣内弘章，安武潔，大参宏昌
