SiC-MOSFETを用いた低圧直流大電流遮断プロセスにおける過渡電圧・接合部温度の評価
SiC-MOSFETを用いた低圧直流大電流遮断プロセスにおける過渡電圧・接合部温度の評価
复制标题
使用SiC-MOSFET评估低压直流大电流中断过程中的瞬态电压和结温
DOI：
--
复制
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
渡邉幹太，横水康伸，小椋陽介，小川拓真
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Daohong;Wu Ting;Huang Haitao;Yang Junchen;Yamamoto Kazuo;二宮 啓，池田達紀，辻 健;渡邉幹太，横水康伸，小椋陽介，小川拓真
