Low temperature epitaxial growth of compressive strained Ge layers on reverse linearly graded virtual substrate by RP-CVD
Low temperature epitaxial growth of compressive strained Ge layers on reverse linearly graded virtual substrate by RP-CVD
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RP-CVD在反向线性梯度虚拟衬底上低温外延生长压应变Ge层
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M Myronov
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M Myronov
