Characterization of Multistep Electron Charging and Discharging of Silicon-Quantuin-Dots Floating Gate by Applying Pulsed Gate Biases
Characterization of Multistep Electron Charging and Discharging of Silicon-Quantuin-Dots Floating Gate by Applying Pulsed Gate Biases
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通过施加脉冲栅极偏置对硅量子点浮栅进行多步电子充电和放电的表征
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Miyazaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R;Matsumoto;M. Ikeda;S. Higiashi;S. Miyazaki
