K.Hattori: "Nonequilibrium Occupancy of Dangling Bond Defects in Undoped Amorphous Silicon Studied by Subgap-Light-Induced Electron Spin Resonance"Japanese Journal of Applied Physics. 印刷中. (2004)
K.Hattori: "Nonequilibrium Occupancy of Dangling Bond Defects in Undoped Amorphous Silicon Studied by Subgap-Light-Induced Electron Spin Resonance"Japanese Journal of Applied Physics. 印刷中. (2004)
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K.Hattori：“通过亚间隙光诱导电子自旋共振研究未掺杂非晶硅中悬空键缺陷的非平衡占据”，日本应用物理学杂志，出版。
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