Synthesis of InGaN nanowires and nanostructures to achieve high indium content and high crystal quality for optoelectronic devices
Synthesis of InGaN nanowires and nanostructures to achieve high indium content and high crystal quality for optoelectronic devices
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合成InGaN纳米线和纳米结构以实现光电器件的高铟含量和高晶体质量
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Hiroshi Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Geoffrey Avit;Yoann Robin;Mohammed Zeghouane;Léo Mostéfa;Boris Michalska;Yamina Andre;Dominique Castelluci;Agnès Trassoudaine;and Hiroshi Amano
