Electrical characteristics of 20-nm junctionless Si nanowire transistors
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DOI：
10.1016/j.sse.2011.11.032
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发表时间：
2012-07
影响因子：
1.7
通讯作者：
Chan-Hoon Park;M. Ko;Kihyun Kim;R. Baek;C. Sohn;C. Baek;S. Park;M. Deen;Y. Jeong;Jeong-Soo Lee
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Chan-Hoon Park;M. Ko;Kihyun Kim;R. Baek;C. Sohn;C. Baek;S. Park;M. Deen;Y. Jeong;Jeong-Soo Lee
