Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2013.01.029
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发表时间：
2013-05
影响因子：
1.8
通讯作者：
K. Zhou;Jianping Liu;Shuming Zhang;Zengcheng Li;M. Feng;Deyao Li;Li-qun Zhang;Feng Wang;Jian-jun Zhu;Hui Yang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Zhou;Jianping Liu;Shuming Zhang;Zengcheng Li;M. Feng;Deyao Li;Li-qun Zhang;Feng Wang;Jian-jun Zhu;Hui Yang
