Ultra-thin chip with permalloy film for high performance MS/RF CMOS

Ultra-thin chip with permalloy film for high performance MS/RF CMOS
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用于高性能 MS/RF CMOS 的坡莫合金薄膜超薄芯片

DOI:
10.1109/vlsit.2004.1345490
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发表时间:
2004
期刊:
Digest of Technical Papers. 2004 Symposium on VLSI Technology, 2004.
影响因子:
--
通讯作者:
H. Ishiuchi
H. Ishiuchi
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
T. Ohguro;N. Sato;M. Matsuo;K. Kojima;H. Momose;K. Ishimaru;H. Ishiuchi

文献摘要

被引文献

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本文描述了在1.7 μ m超薄坡莫合金薄膜芯片上实现MOSFET和电感的高模拟性能。
In this paper, we describe the high analog performance of MOSFETs and inductors on 1.7/spl mu/m ultra-thin chip with permalloy film.