High performance 70 nm gate length germanium-on-insulator pMOSFET with high-k/metal gate
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DOI：
10.1016/j.sse.2009.01.021
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发表时间：
2009-07
影响因子：
1.7
通讯作者：
K. Romanjek;L. Hutin;C. L. Royer;A. Pouydebasque;M. Jaud;C. Tabone;E. Augendre;L. Sanchez;J. Hart
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Romanjek;L. Hutin;C. L. Royer;A. Pouydebasque;M. Jaud;C. Tabone;E. Augendre;L. Sanchez;J. Hart
