Sensitive Hg (II) ion detection by fluorescent multilayer films fabricated with quantum dots
Sensitive Hg (II) ion detection by fluorescent multilayer films fabricated with quantum dots
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利用量子点制造的荧光多层膜进行灵敏的 Hg (II) 离子检测
DOI：
10.1016/j.snb.2009.03.012
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发表时间：
2009-06
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Xingguang Su
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yan Wang;Nan Lou;Qiang Ma;Xingguang Su
用巯基琥珀酸包覆稳定、单分散的CdTe量子点（QDs）在水溶液中制备，并通过与聚二甲基二烯丙基氯化铵（PDDA）的静电相互作用沉积在石英载玻片上形成多层薄膜。PDDA/QDs多层膜制备简单，具有较高的光稳定性。该多层膜的荧光可以被Hg （II）离子有效猝灭，最大光致发光波长无明显偏移，可用于Hg （II）离子的检测。盖层配体与Hg （II）离子之间的电子转移过程可能是Hg （II）离子显著猝灭作用的主要原因。在优化条件下，Hg （II）离子浓度在0.01μM ~ 1μM范围内，多层膜的猝灭荧光强度可以用修正的Stern-Volmer方程完美描述。
Stable, monodisperse CdTe quantum dots (QDs) capped with mercaptosuccinic acid were prepared facilely in aqueous medium, which were deposited on the quartz slides to form multilayer films by electrostatic interactions with poly(dimethyldiallyl ammonium chloride) (PDDA). The PDDA/QDs multilayer films are easily fabricated and show high photostability. The fluorescence of the multilayer films could be quenched effectively by Hg (II) ions without obvious shift in maximum photoluminescence emission wavelength, which can be used for the detection of Hg (II) ions. The electron transfer process between the capping ligands and Hg (II) ions should be mainly responsible for the remarkable quenching effect of Hg (II) ions. Under optimal conditions, the quenched fluorescence intensities of multilayer films are perfectly described by modified Stern–Volmer equation with the concentration of Hg (II) ions ranging from 0.01μM to 1μM.
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