Device Performances and Delay Time Analysis of GaInSb-Channel HEMTs Scaled to Epitaxial Structures
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复制标题
外延结构的 GaInSb 沟道 HEMT 的器件性能和延迟时间分析
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Endoh and H. I. Fujishiro
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Isomae;N. Kishimoto;T. Hayashi;M. Kunisawa;I. Watanabe;Y. Yamashita;R. Machida;S. Hara;A. Kasamatsu;A. Endoh and H. I. Fujishiro
