New solutions for intermetal dielectrics using trimethylsilane-based PECVD processes
New solutions for intermetal dielectrics using trimethylsilane-based PECVD processes
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使用基于三甲基硅烷的 PECVD 工艺的金属间电介质新解决方案
DOI：
10.1016/s0167-9317(99)00259-2
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发表时间：
1999
影响因子：
2.3
通讯作者：
M. Loboda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Loboda
影响因子：
3.7
作者：
Whissell PD;Tohyama S;Martin LJ
通讯作者：
Martin LJ