用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性

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DOI:
10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.03.007
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发表时间:
2021
期刊:
半导体技术
影响因子:
--
通讯作者:
罗家俊
罗家俊
中科院分区:
其他
文献类型:
--
作者:
王加鑫;李晓静;赵发展;曾传滨;李博;韩郑生;罗家俊

文献摘要

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