Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上

Ni化合物半導体とのヘテロ接合によるグラフェンTFTの特性向上
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通过与镍化合物半导体异质结改善石墨烯TFT性能

DOI:
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发表时间:
2021
期刊:
信学技報
影响因子:
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通讯作者:
市川和典
市川和典
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
伊東 栄次;山根 創成;市川和典

文献摘要

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