Electrostatic mechanism of strong enhancement of light emitted by semiconductor quantum wells

Electrostatic mechanism of strong enhancement of light emitted by semiconductor quantum wells
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DOI：
10.1103/physrevb.87.201304
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发表时间：
2013-05
期刊：
Physical Review B
影响因子：
3.7
通讯作者：
A. Llopis;Jie Lin;S. Pereira;T. Trindade;M. Martins;I. Watson;A. Krokhin;A. Neogi
A. Llopis;Jie Lin;S. Pereira;T. Trindade;M. Martins;I. Watson;A. Krokhin;A. Neogi
中科院分区：
物理与天体物理2区
文献类型：
--
作者：
A. Llopis;Jie Lin;S. Pereira;T. Trindade;M. Martins;I. Watson;A. Krokhin;A. Neogi

文献摘要

被引文献

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我们报道了在InGaN/GaN多量子威尔斯（MQW）中加入金属纳米粒子后，在可见光谱区的发光强度得到了增强。
We report on the enhancement of light emission intensity in InGaN/GaN multiple quantum wells (MQW) in the visible spectral region due to an incorporation of metallic nanopartclies into the MQW stack.