等效位移损伤剂量法预测GaInP2/GaAs/Ge三结电池在轨性能退化规律

等效位移损伤剂量法预测GaInP2/GaAs/Ge三结电池在轨性能退化规律
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DOI:
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发表时间:
2011
期刊:
航天器环境工程
影响因子:
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通讯作者:
何世禹
何世禹
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
吴宜勇;岳龙;胡建民;肖景东;陈鸣波;钱勇;杨德庄;何世禹

文献摘要

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