Simple Photoelectrochemical Etching for GaN HEMT Application
Simple Photoelectrochemical Etching for GaN HEMT Application
复制标题
用于 GaN HEMT 应用的简单光电化学蚀刻
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Sato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Horikiri;N. Fukuhara;Y. Narita;T. Yoshida;M. Toguchi;K. Miwa;and T. Sato
